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SI7317DN-T1-GE3

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SI7317DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8

compliant

SI7317DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.51975 -
6,000 $0.49376 -
15,000 $0.47520 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 150 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 9.8 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 365 pF @ 75 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
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関連部品番号

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FCH085N80-F155
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2N7002P,235
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NTMFS5C430NLT1G
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