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SI7403BDN-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8

非準拠

SI7403BDN-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
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1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 74mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 430 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.1W (Ta), 9.6W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
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関連部品番号

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$0 $/ピース
FDC642P-F085
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FQB13N10TM
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IRF6629TRPBF
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$0 $/ピース
IRF3709L
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AOT10N60L
BSP603S2LHUMA1
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