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SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

SOT-23

非準拠

SI7772DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.32698 -
6,000 $0.30443 -
15,000 $0.29315 -
30,000 $0.28700 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 35.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 13mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1084 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

NTMFS4939NT1G
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$0 $/ピース
BUK7610-55AL,118
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$0 $/ピース
CSD25402Q3A
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$0 $/ピース
STU6N90K5
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$0 $/ピース
BSS159NL6906
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$0 $/ピース
NVTR4502PT1G
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$0 $/ピース
FCH041N60E
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FDMS7672
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RSQ045N03HZGTR
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PJMP120N60EC_T0_00001

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