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SI7862ADP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8

非準拠

SI7862ADP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $2.39932 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 16 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 3mOhm @ 29A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 80 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 7340 pF @ 8 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.9W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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