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SI7888DP-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

非準拠

SI7888DP-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9.4A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 12mOhm @ 12.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10.5 nC @ 5 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 1.8W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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