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SI7922DN-T1-GE3

SI7922DN-T1-GE3

SI7922DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8

SOT-23

非準拠

SI7922DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.90345 -
6,000 $0.87210 -
0 items
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.8A
rds オン (最大) @ id、vgs 195mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 8nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
パワー - 最大 1.3W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8 Dual
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