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SI7960DP-T1-E3

SI7960DP-T1-E3

SI7960DP-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

compliant

SI7960DP-T1-E3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.2A
rds オン (最大) @ id、vgs 21mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 75nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
パワー - 最大 1.4W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
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$0 $/ピース
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