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SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

compliant

SI7998DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.75440 -
6,000 $0.71898 -
15,000 $0.69368 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 25A, 30A
rds オン (最大) @ id、vgs 9.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 26nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1100pF @ 15V
パワー - 最大 22W, 40W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
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関連部品番号

SI5504BDC-T1-E3
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MCH6605-TL-E
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NTLUD4C26NTAG
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DMN33D8LDWQ-7
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