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SI8900EDB-T2-E1

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Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

非準拠

SI8900EDB-T2-E1 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $1.71930 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.4A
rds オン (最大) @ id、vgs -
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 1.1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
入力容量(ciss)(最大)@vds -
パワー - 最大 1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 10-UFBGA, CSPBGA
サプライヤーデバイスパッケージ 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
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