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SIA108DJ-T1-GE3

SIA108DJ-T1-GE3

SIA108DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK

compliant

SIA108DJ-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.36762 $0.36762
500 $0.3639438 $181.9719
1000 $0.3602676 $360.2676
1500 $0.3565914 $534.8871
2000 $0.3529152 $705.8304
2500 $0.349239 $873.0975
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.6A (Ta), 12A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 38mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 545 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6
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関連部品番号

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