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SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

SOT-23

非準拠

SIA413DJ-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.44280 -
6,000 $0.42201 -
15,000 $0.40716 -
17999 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 12 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 57 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1800 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6
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