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SIA4263DJ-T1-GE3

SIA4263DJ-T1-GE3

SIA4263DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE

compliant

SIA4263DJ-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.63000 $0.63
500 $0.6237 $311.85
1000 $0.6174 $617.4
1500 $0.6111 $916.65
2000 $0.6048 $1209.6
2500 $0.5985 $1496.25
50 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7.5A (Ta), 12A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 52.2 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1825 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6
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関連部品番号

IAUC100N04S6L020ATMA1
BSS123K-13
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NTMSD2P102R2SG
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$0 $/ピース
STD7N65M6
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$0 $/ピース
IPD30N03S2L10ATMA1
SCT4013DRC15
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DMT6015LFV-7
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FDS6064N3
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SISA01DN-T1-GE3
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