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SIA4265EDJ-T1-GE3

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Vishay Siliconix

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE

非準拠

SIA4265EDJ-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.44000 $0.44
500 $0.4356 $217.8
1000 $0.4312 $431.2
1500 $0.4268 $640.2
2000 $0.4224 $844.8
2500 $0.418 $1045
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7.8A (Ta), 9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 32mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 36 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1180 pF @ 0 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6
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関連部品番号

AOWF9N70
STP7N95K3
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NTLUS3A90PZTBG
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PMPB33XN,115
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BSC883N03MSG
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