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SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

compliant

SIA432DJ-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.52480 -
6,000 $0.50016 -
15,000 $0.48256 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 20mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 800 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6
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関連部品番号

NTD4858NT4G
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SQJ403BEEP-T1_BE3
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FQI9N50TU
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STP10N60M2
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