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SIA456DJ-T1-GE3

SIA456DJ-T1-GE3

SIA456DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70

compliant

SIA456DJ-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.41580 -
6,000 $0.39501 -
15,000 $0.38016 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 350 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6
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関連部品番号

PJS6407_S1_00001
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STB22N60M6
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FQP6N25
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FDB9403-F085
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DMP2018LFK-7
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