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SIA485DJ-T1-GE3

SIA485DJ-T1-GE3

SIA485DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

compliant

SIA485DJ-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.22671 -
6,000 $0.21289 -
15,000 $0.19908 -
30,000 $0.18940 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 150 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.3 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 155 pF @ 75 V
FET機能 -
消費電力(最大) 15.6W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6
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