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SIA810DJ-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

compliant

SIA810DJ-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.44280 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 53mOhm @ 3.7A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11.5 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 400 pF @ 10 V
FET機能 Schottky Diode (Isolated)
消費電力(最大) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6 Dual
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6 Dual
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