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SIA817EDJ-T1-GE3

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SIA817EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6

compliant

SIA817EDJ-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 65mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1.3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 600 pF @ 15 V
FET機能 Schottky Diode (Isolated)
消費電力(最大) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6 Dual
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6 Dual
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関連部品番号

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SIR818DP-T1-GE3
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