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SIA912DJ-T1-GE3

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SIA912DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

非準拠

SIA912DJ-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 12V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.5A
rds オン (最大) @ id、vgs 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 11.5nC @ 8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 400pF @ 6V
パワー - 最大 6.5W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6 Dual
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