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SIA950DJ-T1-GE3

SIA950DJ-T1-GE3

SIA950DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6

compliant

SIA950DJ-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 190V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 950mA
rds オン (最大) @ id、vgs 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4.5nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 90pF @ 100V
パワー - 最大 7W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-70-6 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-70-6 Dual
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SI4906DY-T1-GE3
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