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SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6

compliant

SIB412DK-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 1.8V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 34mOhm @ 6.6A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10.16 nC @ 5 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds 535 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-75-6
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-75-6
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