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SIB456DK-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75

非準拠

SIB456DK-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 185mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 130 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-75-6
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-75-6
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