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SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6

非準拠

SIB457EDK-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.21660 -
6,000 $0.20340 -
15,000 $0.19020 -
30,000 $0.18096 -
8200 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 44 nC @ 8 V
vgs (最大) ±8V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-75-6
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-75-6
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