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SIB900EDK-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

非準拠

SIB900EDK-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.22563 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.5A
rds オン (最大) @ id、vgs 225mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 1.7nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
パワー - 最大 3.1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® SC-75-6L Dual
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SC-75-6L Dual
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