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SIDR104AEP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE

非準拠

SIDR104AEP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.19000 $3.19
500 $3.1581 $1579.05
1000 $3.1262 $3126.2
1500 $3.0943 $4641.45
2000 $3.0624 $6124.8
2500 $3.0305 $7576.25
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 21.1A (Ta), 90.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 6.1mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3250 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 6.5W (Ta), 120W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8DC
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

UPA2723T1A-E1-AZ
IPB22N03S4L15ATMA1
SI7818DN-T1-E3
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$0 $/ピース
SI7164DP-T1-GE3
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$0 $/ピース
STW40N65M2
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$0 $/ピース
IGW40N60TP
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$0 $/ピース
IPZ60R099C7XKSA1
PSMN7R0-100BS,118
IXTA30N25L2
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$0 $/ピース
PSMN027-100PS,127

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