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SIDR220DP-T1-RE3

SIDR220DP-T1-RE3

SIDR220DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET

compliant

SIDR220DP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.90000 $2.9
500 $2.871 $1435.5
1000 $2.842 $2842
1500 $2.813 $4219.5
2000 $2.784 $5568
2500 $2.755 $6887.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 25 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 87.7A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 5.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (最大) +16V, -12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 10850 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8DC
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

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