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SIDR220EP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET

SOT-23

非準拠

SIDR220EP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.52000 $3.52
500 $3.4848 $1742.4
1000 $3.4496 $3449.6
1500 $3.4144 $5121.6
2000 $3.3792 $6758.4
2500 $3.344 $8360
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 25 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 92.8A (Ta), 415A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 0.58mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (最大) +16V, -12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 10850 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 6.25W (Ta), 415W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8DC
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

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NVMFS5C426NAFT3G
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