ichome.comへようこそ!

logo

SIDR500EP-T1-RE3

SIDR500EP-T1-RE3

SIDR500EP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET

compliant

SIDR500EP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.61000 $3.61
500 $3.5739 $1786.95
1000 $3.5378 $3537.8
1500 $3.5017 $5252.55
2000 $3.4656 $6931.2
2500 $3.4295 $8573.75
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 94A (Ta), 421A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 0.47mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (最大) +16V, -12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 8960 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8DC
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

SI2337DS-T1-GE3
SI2337DS-T1-GE3
$0 $/ピース
NTE2987
NTE2987
$0 $/ピース
FDB8445
FDB8445
$0 $/ピース
NVTYS010N04CLTWG
NVTYS010N04CLTWG
$0 $/ピース
2SJ166-T1B-A
IRLHM620TRPBF
FDD6778A
FDD6778A
$0 $/ピース
SISA14BDN-T1-GE3
SISA14BDN-T1-GE3
$0 $/ピース
RF6E045AJTCR
RF6E045AJTCR
$0 $/ピース
AOT16N50

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。