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SIDR5802EP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET

compliant

SIDR5802EP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.01000 $3.01
500 $2.9799 $1489.95
1000 $2.9498 $2949.8
1500 $2.9197 $4379.55
2000 $2.8896 $5779.2
2500 $2.8595 $7148.75
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 34.2A (Ta), 153A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3020 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8DC
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

SI5458DU-T1-GE3
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$0 $/ピース
FDBL0630N150
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BSS306NH6327XTSA1
IPB160N04S4H1ATMA1
SQ3481EV-T1_GE3
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$0 $/ピース
MMDF4N01HDR2
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$0 $/ピース
AON7246E
PSMN5R0-40MLHX
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$0 $/ピース
RJ1P12BBDTLL
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$0 $/ピース

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