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SIDR626LDP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK

非準拠

SIDR626LDP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.19000 $3.19
500 $3.1581 $1579.05
1000 $3.1262 $3126.2
1500 $3.0943 $4641.45
2000 $3.0624 $6124.8
2500 $3.0305 $7576.25
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 45.6A (Ta), 2.4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 135 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5900 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8DC
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

NTLUS3A18PZTAG
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NP82N055KHE-E1-AZ
FDMT80080DC
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FDD6782A
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SISS5708DN-T1-GE3
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FDBL86563-F085
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IRFZ44ZPBF
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UF4SC120030K4S
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STU8NM50N
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