ichome.comへようこそ!

logo

SIE822DF-T1-GE3

SIE822DF-T1-GE3

SIE822DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK

compliant

SIE822DF-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $1.41075 -
6,000 $1.35850 -
1678 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.4mOhm @ 18.3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4200 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5.2W (Ta), 104W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 10-PolarPAK® (S)
パッケージ/ケース 10-PolarPAK® (S)
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

BSS127SSN-7
BSS127SSN-7
$0 $/ピース
APT38F80L
APT38F80L
$0 $/ピース
AUIRF1404STRL
IXFN360N15T2
IXFN360N15T2
$0 $/ピース
DMT3009LFVWQ-7
DMT3009LFVWQ-7
$0 $/ピース
BSZ033NE2LS5ATMA1
BSZ110N06NS3GATMA1
IXFX32N80P
IXFX32N80P
$0 $/ピース
NTD4813N-1G
NTD4813N-1G
$0 $/ピース
PJQ4463AP-AU_R2_000A1

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。