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SIE860DF-T1-GE3

SIE860DF-T1-GE3

SIE860DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK

compliant

SIE860DF-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.1mOhm @ 21.7A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4500 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5.2W (Ta), 104W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 10-PolarPAK® (M)
パッケージ/ケース 10-PolarPAK® (M)
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関連部品番号

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NVMFS6B05NWFT1G
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FDS5682
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NDB6020P
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UF3SC065040D8S
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STP7NB60
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AUIRFSL4115
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HUFA76645P3
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PHK4NQ10T,518
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