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SIHA17N80E-GE3

SIHA17N80E-GE3

SIHA17N80E-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 800V

非準拠

SIHA17N80E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $5.09000 $5.09
500 $5.0391 $2519.55
1000 $4.9882 $4988.2
1500 $4.9373 $7405.95
2000 $4.8864 $9772.8
2500 $4.8355 $12088.75
1000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 290mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 122 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2408 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 35W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220 Full Pack
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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