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SIHA21N65EF-GE3

SIHA21N65EF-GE3

SIHA21N65EF-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

compliant

SIHA21N65EF-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $4.95000 $4.95
500 $4.9005 $2450.25
1000 $4.851 $4851
1500 $4.8015 $7202.25
2000 $4.752 $9504
2500 $4.7025 $11756.25
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 21A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 106 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2322 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 35W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220 Full Pack
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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関連部品番号

IPBE65R050CFD7AATMA1
XP151A13A0MR
IXFN230N10
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$0 $/ピース
STB28N60DM2
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$0 $/ピース
IPD60R600CP
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$0 $/ピース
FDB6670AS
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$0 $/ピース
SPB80N06S08ATMA1
PMV37ENEAR
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$0 $/ピース
SSM3J140TU,LF
BUK9Y15-60E,115
BUK9Y15-60E,115
$0 $/ピース

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