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SIHA6N65E-E3

SIHA6N65E-E3

SIHA6N65E-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220

SOT-23

非準拠

SIHA6N65E-E3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.24000 $2.24
10 $2.02000 $20.2
100 $1.62360 $162.36
500 $1.26280 $631.4
1,000 $1.04632 -
3,000 $0.97416 -
5,000 $0.93808 -
5 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1640 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 31W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220 Full Pack
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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関連部品番号

SSM3K376R,LF
STB27NM60ND
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2N7002T-7-F
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FCP190N65F
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$0 $/ピース
PHT6N06LT,135
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DMG6402LVT-7
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SI6423ADQ-T1-GE3
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NVMFS5C430NLAFT1G
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SI2307CDS-T1-E3
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