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SIHA6N80E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220

非準拠

SIHA6N80E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.76000 $2.76
10 $2.49200 $24.92
100 $2.00230 $200.23
500 $1.55732 $778.66
1,000 $1.29036 -
2,500 $1.20136 -
5,000 $1.15687 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 940mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 827 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 31W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220 Full Pack
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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PMF250XN,115
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