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SIHB065N60E-GE3

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SIHB065N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK

compliant

SIHB065N60E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $7.80000 $7.8
10 $7.05100 $70.51
100 $5.84560 $584.56
500 $4.94210 $2471.05
1,000 $4.33973 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 40A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 65mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 74 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2700 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 250W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

SI7884BDP-T1-E3
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SQA410CEJW-T1_GE3
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IPP023N04NGXKSA1
BUK7508-40B,127
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$0 $/ピース
FDPF16N50UT
TSM3457CX6 RFG
MSC015SMA070B4
2SK2011
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SIR104ADP-T1-RE3
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$0 $/ピース

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