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SIHB100N60E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK

非準拠

SIHB100N60E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $5.79000 $5.79
10 $5.19300 $51.93
100 $4.29080 $429.08
500 $3.50918 $1754.59
1,000 $2.98808 -
3,000 $2.84779 -
690 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 100mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1851 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 208W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

SUM65N20-30-E3
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SI3430DV-T1-BE3
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APT8024B2LLG
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