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SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

compliant

SIHB12N60E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.28000 $2.28
10 $2.06400 $20.64
100 $1.65830 $165.83
500 $1.28976 $644.88
1,000 $1.06865 -
2,500 $0.99495 -
5,000 $0.95810 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 937 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 147W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

NTLJS3113PTAG
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STB85NF55T4
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NTGS3455T1G
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