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SIHB12N60ET1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A TO263

非準拠

SIHB12N60ET1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.35000 $2.35
10 $2.13100 $21.31
100 $1.72530 $172.53
500 $1.35676 $678.38
1,000 $1.13565 -
2,500 $1.06195 -
5,000 $1.02510 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 937 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 147W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

PJS6401_S1_00001
STW33N60M6
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$0 $/ピース
IRF9333TRPBF
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$0 $/ピース
NVMFSC0D9N04CL
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$0 $/ピース
VP2106N3-G
VP2106N3-G
$0 $/ピース
2SK2485-A
NTD78N03T4G
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$0 $/ピース
AOSP21307
APT26F120B2
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$0 $/ピース
SUM110P04-05-E3
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$0 $/ピース

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