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SIHB12N60ET5-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A TO263

compliant

SIHB12N60ET5-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.35000 $2.35
10 $2.13100 $21.31
100 $1.72530 $172.53
500 $1.35676 $678.38
1,000 $1.13565 -
2,500 $1.06195 -
5,000 $1.02510 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 937 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 147W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

BUK7Y25-40B,115
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SIRA28BDP-T1-GE3
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$0 $/ピース
BUK766R0-60E,118
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$0 $/ピース
RSS100N03FRATB
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R6009JNXC7G
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PSMN6R9-100YSFX
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