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SIHB17N80AE-GE3

SIHB17N80AE-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK

compliant

SIHB17N80AE-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.03000 $3.03
500 $2.9997 $1499.85
1000 $2.9694 $2969.4
1500 $2.9391 $4408.65
2000 $2.9088 $5817.6
2500 $2.8785 $7196.25
1000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 15A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 290mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1260 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 179W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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