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SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N60AE-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

compliant

SIHB22N60AE-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $4.42000 $4.42
10 $3.95900 $39.59
100 $3.27110 $327.11
500 $2.67522 $1337.61
1,000 $2.27796 -
3,000 $2.17101 -
5,000 $2.09461 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1451 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 179W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263 (D²Pak)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

SQJ402EP-T1_GE3
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MMFT1N10ET1
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APT6029BLLG
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TK380P65Y,RQ
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R6003KND3TL1
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FDS6612A
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FQA24N60
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$0 $/ピース
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