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SIHB22N60EF-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK

非準拠

SIHB22N60EF-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.73000 $3.73
500 $3.6927 $1846.35
1000 $3.6554 $3655.4
1500 $3.6181 $5427.15
2000 $3.5808 $7161.6
2500 $3.5435 $8858.75
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 19A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 182mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1423 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 179W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

FQI4N20TU
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RM3404
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NVMFS6H824NLWFT1G
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