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SIHB22N65E-T1-GE3

SIHB22N65E-T1-GE3

SIHB22N65E-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 650V

compliant

SIHB22N65E-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $5.04000 $5.04
500 $4.9896 $2494.8
1000 $4.9392 $4939.2
1500 $4.8888 $7333.2
2000 $4.8384 $9676.8
2500 $4.788 $11970
797 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 22A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2415 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 227W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

AUIRFS3107-7TRL
NTMFS4C025NT3G
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$0 $/ピース
ISS55EP06LMXTSA1
HUFA75309T3ST
STP8NK100Z
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$0 $/ピース
RS1E350GNTB
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$0 $/ピース
IPA70R360P7SXKSA1
GKI03080
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$0 $/ピース
SIHH28N60E-T1-GE3
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$0 $/ピース
BUK9E3R2-40E,127
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$0 $/ピース

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