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SIHB23N60E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

compliant

SIHB23N60E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $4.11000 $4.11
500 $4.0689 $2034.45
1000 $4.0278 $4027.8
1500 $3.9867 $5980.05
2000 $3.9456 $7891.2
2500 $3.9045 $9761.25
14 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 23A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 158mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2418 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 227W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

SI4408DY-T1-E3
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DMP3068L-7
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SI2343CDS-T1-BE3
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NTBG160N120SC1
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$0 $/ピース
PMPB16R5XNEX
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ZXMN2AM832TA
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RUM002N05T2L
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SUP90N06-6M0P-E3
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