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SIHB24N80AE-GE3

SIHB24N80AE-GE3

SIHB24N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK

SOT-23

非準拠

SIHB24N80AE-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.73000 $3.73
500 $3.6927 $1846.35
1000 $3.6554 $3655.4
1500 $3.6181 $5427.15
2000 $3.5808 $7161.6
2500 $3.5435 $8858.75
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 21A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 184mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 89 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1836 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 208W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

SI3464DV-T1-GE3
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FDD6696
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$0 $/ピース
STL16N60M6
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DMP2038USS-13
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$0 $/ピース
DMTH43M8LK3Q-13
TK10A60W5,S5VX
BUK7Y28-75B,115
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$0 $/ピース
IPW65R037C6FKSA1
2SK4085LS-1E
DMN55D0UT-7
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$0 $/ピース

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