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SIHB25N50E-GE3

SIHB25N50E-GE3

SIHB25N50E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 26A TO263

compliant

SIHB25N50E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $4.16000 $4.16
10 $3.72800 $37.28
100 $3.08030 $308.03
500 $2.51920 $1259.6
1,000 $2.14512 -
2,500 $2.04440 -
5,000 $1.97246 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 26A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1980 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 250W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

AOT12N40L
SI2333-TP
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NTMFS4934NT3G
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FCP190N60E
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IXFN360N10T
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TPH4R008NH,L1Q
IXFP130N10T2
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SQD23N06-31L_GE3
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