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SIHB30N60E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

非準拠

SIHB30N60E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $6.93000 $6.93
10 $6.21300 $62.13
100 $5.13390 $513.39
500 $4.19868 $2099.34
1,000 $3.57520 -
3,000 $3.40734 -
3 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 29A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 125mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2600 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 250W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

DMP1012UFDF-13
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$0 $/ピース
SUM110P06-07L-E3
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$0 $/ピース
IXFT69N30P
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$0 $/ピース
STW34N65M5
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$0 $/ピース
BSC190N15NS3GATMA1
DMT10H015LCG-7
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$0 $/ピース
FDMC86139P
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$0 $/ピース
FDS86141
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R6020JNZ4C13
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$0 $/ピース

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