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SIHB33N60E-GE3

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SIHB33N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK

SOT-23

非準拠

SIHB33N60E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $7.06000 $7.06
10 $6.32700 $63.27
100 $5.22810 $522.81
500 $4.27572 $2137.86
1,000 $3.64080 -
2,500 $3.46986 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 33A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 99mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3508 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 278W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

PJD4NA50A_L2_00001
SIHP21N80AEF-GE3
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AUIRFR4620TRL
RFP50N06
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DMN3051L-7
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$0 $/ピース
SPW17N80C3FKSA1
IRF540SPBF
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$0 $/ピース
MMBF2201NT1
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IXFX140N25T
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SI2318DS-T1-E3
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